29 Kuk.doc

(234 KB) Pobierz

Politechnika Krakowska

Fizyka Techniczna

Marcin

Kuk

Rok akad.:

1999/2000

Data:

Grupa 2

Zespół 4

Nr ćwicz.:

Ocena:

Podpis:

Sporządzanie Charakterystyk Tranzystora

Nazwa tranzystor pochodzi od słów transfer resistor (z ang. przeniesienie oporu) i służy do oznaczenia triody półprzewodnikowej.

Półprzewodniki zajmują pośrednie miejsce między metalami o oporze właściwym 10-8 do 10-6 [Wm] i izolatorami o oporze właściwym 108 do 1013 [Wm]. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są zarówno elektrony, jak i dziury spełniające rolę nośników dodatnich. Rozróżniamy półprzewodniki: samoistne – gdy nośnikami prądu są w równej mierze elektrony, jak i dziury; typu n – gdy nośnikami większościowymi są elektrony; typu p – gdy nośnikami większościowymi są dziury. Tranzystor można przedstawić jako dwie diody półprzewodnikowe warstwowe ze wspólną częścią n lub p, jednak tak cienką, że przepływ prądu przez pierwszą diodę wpływa na zachowanie się drugiej.

Jeżeli do diody półprzewodnikowej przyłożymy napięcie wytwarzające natężenie pola elektrycznego, skierowane od p do n, to przy małych napięciach będzie płynąć przez złącze prąd o dużym natężeniu i powiemy, że złącze zostało spolaryzowane w kierunku przewodzenia.

Jeżeli napięcie przyłożone jest w kierunku przeciwnym, to nawet przy dużych napięciach będą płynąć przez złącze prądy o małych natężeniach i powiemy, że złącze zostało spolaryzowane w kierunku zaporowym.

Obszar środkowy tranzystora nazywa się bazą. Baza stanowi odpowiednik siatki sterującej w triodzie, emiter spełnia rolę katody, a kolektor anody. Przez przyłożenie małego napięcia UEB między emiter a bazę występujące między nimi złącz p - n zostaje spolaryzowane w kierunku przewodzenia.

Przez przyłożenie przeciwnie skierowanego napięcia UCB między kolektor a bazę występujące między nimi złącze zostaje spolaryzowane w kierunku zaporowym.

Ze względu na sposoby połączenia tranzystora z obwodem wejściowym sterującym i obwodem wyjściowym (sterowanym) rozróżniamy trzy układy:

· ze wspólną bazą (OB)

· ze wspólnym emiterem (OE)

· ze wspólnym kolektorem (OC)

Charakterystykami statycznymi tranzystora nazywamy zbiór zależności natężeń prądów bazy IB i kolektora IC od napięć UBE i UCE przedstawiony w różnych układach współrzędnych i tak:

a) IB = f(UBE) Uce=const – nazywamy charakterystyką wejściową tranzystora;

b) Ic = f(UCE) Ib=const – nazywamy charakterystyką wyjściową tranzystora;

c) IC = f(IB) Uce=const – nazywa się charakterystyką wzmocnienia prądowego;

d) UBE=f(UCE)Ib=const – nazywa się charakterystyką napięciowego sprzężenia zwrotnego.