ultra niskoszumny tranzystor BC650C - obudowa: TO92; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,2A; Vcb=30V; Vce=30V; Veb=6V; Tj=160°C; Cob=3pF; Ptot=0,625W; hFE=380 BC549C - obudowa: TO92; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,1A; Vcb=30V; Vce=30V; Veb=6V; Tj=150°C; Cob=4,5pF; Ptot=0,5W; hFE=420 BC109C - obudowa: TO18; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,1A; Vcb=30V; Vce=20V; Veb=5V; Tj=175°C; Cob=5pF; Ptot=0,3W; hFE=420 Pary mocy: BDX68 - obudowa: TO3; polaryzacja: PNP-Si; Ic=25A; Vcb=60V; Vce=80V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 BDX69 - obudowa: TO3; polaryzacja: NPN-Si; Ic=25A; Vcb=60V; Vce=60V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 BDX68B - obudowa: TO3; polaryzacja: PNP-Si; Ic=25A; Vcb=100V; Vce=100V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 BDX69B - obudowa: TO3; polaryzacja: NPN-Si; Ic=25A; Vcb=100V; Vce=100V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 BDX68C - obudowa: TO3; polaryzacja: PNP-Si; Ic=25A; Vcb=120V; Vce=120V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 BDX69C - obudowa: TO3; polaryzacja: NPN-Si; Ic=25A; Vcb=140V; Vce=120V; Veb=-; Tj=200°C; Cob=-; Ptot=200W; hFE=2000 Duża częstotliwość i wzmocnienie 2SC4178 - obudowa: TO236-1; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,02A; Vcb=30V; Vce=-; Veb=-; Tj=175°C; Cob=-; Ptot=0,1W; hFE=350 2SC4432 - obudowa: TO236-1; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,05A; Vcb=18V; Vce=-; Veb=-; Tj=150°C; Cob=-; Ptot=0,1W; hFE=200 2SC3016 - obudowa: SP0; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,05A; Vcb=15V; Vce=-; Veb=-; Tj=175°C; Cob=-; Ptot=0,15W; hFE=200 BF681 - obudowa: TO50; polaryzacja: PNP-Si; Ic=0,03A; Vcb=40V; Vce=35V; Veb=3V; Tj=150°C; Cob=0,5pF; Ptot=0,16W; hFE=25 2SC2345 - obudowa: -; polaryzacja: NPN-Si; Ic=0,02A; Vcb=25V; Vce=20V; Veb=3V; Tj=125°C; Cob=0,2pF; Ptot=0,15W; hFE=100
alpengold