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Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2006-04-20
Type “FM/FP“
Nominal current
Nennstrom
25 A
6.7
16.6 ±0.5
7.3
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...1000 V
+
+
Ø 5.2
Metal case
Metallgehäuse
Index “M“
=
18.1 ±0.5
=
21.6 ±1
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
Index “P“
28.6 ±0.2
Type “WM/WP“
Dimensions
Abmessungen
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
11.6 ±0.5
7.3
Weight approx.
Gewicht ca.
“M“ – 23 g
“P“ – 17 g
+
+
Ø 5.2
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
=
18 ±0.5
=
min. 30
28.6 ±0.2
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V VRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V RRM [V] 1 )
KBPC2500F/W
35
50
KBPC2501F/W
70
100
KBPC2502F/W
140
200
KBPC2504F/W
280
400
KBPC2506F/W
420
600
KBPC2508F/W
560
800
KBPC2510F/W
700
1000
KBPC2512F/W
800
1200
KBPC2514F/W
900
1400
KBPC2516F/W
1000
1600
1 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
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Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I FRM
60 A 1 )
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T A = 25°C I FSM
270/300 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T A = 25°C i 2 t
375 A 2 s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T j
T S
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm 2
T A = 50°C R-load
C-load
I FAV
I FAV
25 A
20 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
T j = 25°C I F = 12.5 A V F
< 1.2 V 2 )
Leakage current – Sperrstrom
T j = 25°C V R = V RRM I R
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
V ISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
R thC
< 2.0 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
120
10
2
[%]
100
[A]
T = 125°C
j
10
80
T = 25°C
j
60
1
40
10
-1
20
I F
I FAV
270a-(12a-1.2v)
0
10
-2
0
T A
50
100
150
[°C]
0.4 V F 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
1 Valid, if the temperature of the case is kept to T C = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf T C = 120°C gehalten wird
2 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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