Diody laserowe KATALOG II.pdf

(61 KB) Pobierz

DIODA LASEROWA RLD – 635 (5)

635 nm, 5 mW, ? 5.6mm

Opis:

Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana

dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm

Parametry optyczne i elektryczne (To=25 oC)

Symbol

Min

Typowa

Max

Jednostka

Dlugosc fali

?

632

636

640

nm

Emitowana moc

P 0

5

5

mW

Prad progowy

I th

25

30

mA

Prad pracy diody

I op

40

45

mA

Napiecie pracy diody

V op

2.3

2.7

V

Rozbieznosc wiazki

? ??

8

10

stopnie

Rozbieznosc wiazki

? ?

35

40

stopnie

Prad monitorowania

I s

0.01

0.03

0.1

mA

Napiecie zwrotne diody

V R LD

2

V

Napiecie zwrotne

fotodiody

V R PD

30

V

Temperatura pracy

T o

-10 ~ 40

50

o C

Temperatura

magazynowania

T STG

-40 ~ 85

o C

Typ polaczeñ:

N

1.Dioda laserowa

2.Obudowa

3.Fotodioda monitorujaca

Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna

ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu.

Dioda laserowa RLD – 635 (5)

787287130.069.png

787287130.080.png

787287130.090.png

787287130.101.png

787287130.001.png

787287130.012.png

787287130.023.png

787287130.024.png

787287130.025.png

787287130.026.png

787287130.027.png

787287130.028.png

787287130.029.png

787287130.030.png

787287130.031.png

787287130.032.png

787287130.033.png

787287130.034.png

787287130.035.png

787287130.036.png

787287130.037.png

787287130.038.png

DIODA LASEROWA RLD – 635 (10)

635 nm, 10 mW, ? 5.6mm

Opis:

Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana

dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm

Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC)

Symbol

Min

Typowa

Max

Jednostka

Dlugosc fali

?

632

637

640

nm

Emitowana moc

P 0

5

10

10

mW

Prad progowy

I th

30

35

mA

Prad pracy diody

I op

45

50

mA

Napiecie pracy diody

V op

2.3

2.7

V

Rozbieznosc wiazki

? ??

8

10

stopnie

Rozbieznosc wiazki

? ?

35

40

stopnie

Prad monitorowania

I s

0.01

0.03

0.1

mA

Napiecie zwrotne diody

V R LD

2

V

Napiecie zwrotne

fotodiody

V R PD

30

V

Temperatura pracy

T o

-10 ~ 40

o C

Temperatura

przechowywania

T STG

-40 ~ 85

o C

Typ polaczeñ:

N

1.Dioda laserowa

2.Obudowa

3.Fotodioda monitorujaca

Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna

ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu.

Dioda laserowa RLD – 635 (10)

787287130.039.png

787287130.040.png

787287130.041.png

787287130.042.png

787287130.043.png

787287130.044.png

787287130.045.png

787287130.046.png

787287130.047.png

787287130.048.png

787287130.049.png

787287130.050.png

787287130.051.png

787287130.052.png

787287130.053.png

787287130.054.png

787287130.055.png

787287130.056.png

787287130.057.png

787287130.058.png

787287130.059.png

787287130.060.png

DIODA LASEROWA RLD – 635 (20)

635nm, 20 mW, ? 5.6mm

Opis:

Dioda laserowa emitujaca fale o dlugosci 635 nm z fotodioda

monitorujaca, obudowa TO-18, ? 5.6mm

Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC)

Symbol

Min

Typowa

Max

Jednostka

Dlugosc fali

?

635

640

nm

Emitowana moc

P 0

20

mW

Prad progowy

I th

50

60

mA

Prad pracy diody

I op

70

85

mA

Napiecie pracy diody

V op

2.3

2.7

V

Rozbieznosc wiazki

? ??

6

8

10

Stopnie

Rozbieznosc wiazki

? ?

20

25

35

Stopnie

Prad monitorowania

I s

0.01

0.03

0.08

mA

Napiecie zwrotne diody

V R LD

2

V

Napiecie zwrotne

fotodiody

V R PD

30

V

Temperatura pracy

T o

-10 ~ 40

o C

Temperatura

przechowywania

T STG

-40 ~ 85

o C

Typ polaczeñ:

N

1.Dioda laserowa

2.Obudowa

3.Fotodioda monitorujaca

Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna

ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu.

Dioda laserowa RLD – 635 (20)

787287130.061.png

787287130.062.png

787287130.063.png

787287130.064.png

787287130.065.png

787287130.066.png

787287130.067.png

787287130.068.png

787287130.070.png

787287130.071.png

787287130.072.png

787287130.073.png

787287130.074.png

787287130.075.png

787287130.076.png

787287130.077.png

787287130.078.png

787287130.079.png

787287130.081.png

787287130.082.png

787287130.083.png

787287130.084.png

DIODA LASEROWA RLD – 650 (5)

650 nm, 5 mW, ? 5.6mm

Opis:

Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana

dlugosc fali 650 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm.

Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC)

Symbol

Min

Typowa

Max

Jednostka

Dlugosc fali

?

650

660

nm

Emitowana moc

P 0

5

mW

Prad progowy

I th

25

40

mA

Prad pracy diody

I op

32

45

mA

Napiecie pracy diody

V op

2.2

2.6

V

Rozbieznosc wiazki

? ??

6

9

13

stopnie

Rozbieznosc wiazki

? ?

22

29

38

stopnie

Prad monitorowania

I s

0.05

0.1

0.3

mA

Napiecie zwrotne diody

V R LD

2

V

Napiecie zwrotne

fotodiody

V R PD

30

V

Temperatura pracy

T o

-10 ~ 40

o C

Temperatura

przechowywania

T STG

-40 ~ 85

o C

Typ polaczeñ:

N

1.Dioda laserowa

2.Obudowa

3.Fotodioda monitorujaca

Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna

ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu.

Dioda laserowa RLD – 650 (5)

787287130.085.png

787287130.086.png

787287130.087.png

787287130.088.png

787287130.089.png

787287130.091.png

787287130.092.png

787287130.093.png

787287130.094.png

787287130.095.png

787287130.096.png

787287130.097.png

787287130.098.png

787287130.099.png

787287130.100.png

787287130.102.png

787287130.103.png

787287130.104.png

787287130.105.png

787287130.106.png

787287130.107.png

787287130.108.png

DIODA LASEROWA RLD – 650 (30)

650 nm, 30 mW, ? 5.6mm

Opis: Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali

650 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm.

Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC)

Symbol

Min

Typowa

Max

Jednostka

Dlugosc fali

?

650

660

nm

Emitowana moc

P 0

30

mW

Prad progowy

I th

25

30

mA

Prad pracy diody

I op

40

45

mA

Napiecie pracy diody

V op

2.3

2.7

V

Rozbieznosc wiazki

? ??

6

8

13

stopnie

Rozbieznosc wiazki

? ?

22

33

38

stopnie

Prad monitorowania

I s

0.05

0.3

0.6

mA

Napiecie zwrotne diody

V R LD

2

V

Napiecie zwrotne

fotodiody

V R PD

30

V

Temperatura pracy

T o

-10 ~ 40

o C

Temperatura

przechowywania

T STG

-40 ~ 85

o C

Typ polaczeñ:

N

1.Dioda laserowa

2.Obudowa

3.Fotodioda monitorujaca

Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna

ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu.

Dioda laserowa RLD – 650 (30)

787287130.109.png

787287130.110.png

787287130.002.png

787287130.003.png

787287130.004.png

787287130.005.png

787287130.006.png

787287130.007.png

787287130.008.png

787287130.009.png

787287130.010.png

787287130.011.png

787287130.013.png

787287130.014.png

787287130.015.png

787287130.016.png

787287130.017.png

787287130.018.png

787287130.019.png

787287130.020.png

787287130.021.png

787287130.022.png

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Electronics - Power Mosfets.pdf (14245 KB)
Część 4 - Unipolarne Układy Scalone I Układy Systemu Mikroprocesorowego Katalog.pdf (8567 KB)
Sp Elektroniikka Katalog.pdf (13315 KB)
EPCOS_CAP.pdf (8197 KB)
katalogi_rozne.zip (6162 KB)

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin